ਸੰਯੁਕਤ ਰਾਜ ਅਮਰੀਕਾ ਚਿੱਪ ਹੀਟਿੰਗ ਨੂੰ ਦਬਾਉਣ ਲਈ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ ਨਾਲ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਕਸਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਚਿੱਪ ਵਿੱਚ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ, ਕੰਪਿਊਟਰ ਦੀ ਕੰਪਿਊਟਿੰਗ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੁੰਦਾ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਵੀ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਗਰਮ ਸਥਾਨ ਪੈਦਾ ਕਰਦੀ ਹੈ।
ਸਹੀ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ, ਪ੍ਰੋਸੈਸਰ ਦੀ ਸੰਚਾਲਨ ਦੀ ਗਤੀ ਨੂੰ ਹੌਲੀ ਕਰਨ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ, ਓਵਰਹੀਟਿੰਗ ਨੂੰ ਰੋਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵਾਧੂ ਊਰਜਾ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਊਰਜਾ ਅਕੁਸ਼ਲਤਾ ਸਮੱਸਿਆਵਾਂ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਦੇ ਕਾਰਨ ਵੀ ਹਨ।ਇਸ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨ ਲਈ, ਕੈਲੀਫੋਰਨੀਆ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ, ਲਾਸ ਏਂਜਲਸ ਨੇ 2018 ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਕੰਡਕਟੀਵਿਟੀ ਵਾਲੀ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਕਸਿਤ ਕੀਤੀ, ਜੋ ਕਿ ਨੁਕਸ-ਮੁਕਤ ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਅਤੇ ਬੋਰਾਨ ਫਾਸਫਾਈਡ ਨਾਲ ਬਣੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਮੌਜੂਦਾ ਤਾਪ ਵਿਘਨ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਸਮਾਨ ਹੈ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਹੀਰਾ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ.ਅਨੁਪਾਤ, ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਦੇ 3 ਗੁਣਾ ਤੋਂ ਵੱਧ ਦੇ ਨਾਲ।
ਜੂਨ 2021 ਵਿੱਚ, ਕੈਲੀਫੋਰਨੀਆ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ, ਲਾਸ ਏਂਜਲਸ, ਨੇ ਉੱਚ-ਪਾਵਰ ਕੰਪਿਊਟਰ ਚਿਪਸ ਨਾਲ ਜੋੜਨ ਲਈ ਨਵੀਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਤਾਂ ਕਿ ਚਿਪਸ ਦੀ ਗਰਮੀ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਨੂੰ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਦਬਾਇਆ ਜਾ ਸਕੇ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਕੰਪਿਊਟਰ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੋਇਆ।ਖੋਜ ਟੀਮ ਨੇ ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨੂੰ ਚਿੱਪ ਅਤੇ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਤਾਪ ਸਿੰਕ ਅਤੇ ਚਿੱਪ ਦੇ ਸੁਮੇਲ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਗਰਮੀ ਦੇ ਵਿਗਾੜ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਪਾਇਆ, ਅਤੇ ਅਸਲ ਡਿਵਾਈਸ ਦੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ 'ਤੇ ਖੋਜ ਕੀਤੀ।
ਬੋਰੋਨ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਵਿਆਪਕ ਊਰਜਾ ਪਾੜੇ ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਾਲ ਜੋੜਨ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਇਹ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ ਕਿ ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ/ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੀ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ 250 MW/m2K ਦੇ ਤੌਰ ਤੇ ਉੱਚ ਸੀ, ਅਤੇ ਇੰਟਰਫੇਸ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਛੋਟੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਪਹੁੰਚ ਗਿਆ ਸੀ।ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਐਲੂਮੀਨੀਅਮ ਗੈਲਿਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ/ਗੈਲੀਅਮ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਨਾਲ ਬਣੀ ਇੱਕ ਉੱਨਤ ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਮੋਬਿਲਿਟੀ ਟਰਾਂਜ਼ਿਸਟਰ ਚਿੱਪ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਪੁਸ਼ਟੀ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ ਕਿ ਹੀਰਾ ਜਾਂ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਨਾਲੋਂ ਤਾਪ ਵਿਘਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਕਾਫ਼ੀ ਬਿਹਤਰ ਹੈ।
ਖੋਜ ਟੀਮ ਨੇ ਚਿੱਪ ਨੂੰ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਮਰੱਥਾ 'ਤੇ ਚਲਾਇਆ, ਅਤੇ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਉੱਚੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੱਕ ਗਰਮ ਸਥਾਨ ਨੂੰ ਮਾਪਿਆ।ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਨਤੀਜੇ ਦਿਖਾਉਂਦੇ ਹਨ ਕਿ ਡਾਇਮੰਡ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 137°C ਹੈ, ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 167°C ਹੈ, ਅਤੇ ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੇਨਾਈਡ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਸਿਰਫ਼ 87°C ਹੈ।ਇਸ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੀ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਬੋਰੋਨ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਦੇ ਵਿਲੱਖਣ ਫੋਨੋਨਿਕ ਬੈਂਡ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਏਕੀਕਰਣ ਤੋਂ ਮਿਲਦੀ ਹੈ।ਬੋਰਾਨ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਨਾ ਸਿਰਫ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ, ਬਲਕਿ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਇੰਟਰਫੇਸ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵੀ ਹੈ।
ਇਸਦੀ ਵਰਤੋਂ ਉੱਚ ਡਿਵਾਈਸ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਪਾਵਰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਹੀਟ ਸਿੰਕ ਵਜੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।ਇਹ ਭਵਿੱਖ ਵਿੱਚ ਲੰਬੀ-ਦੂਰੀ, ਉੱਚ-ਸਮਰੱਥਾ ਵਾਲੇ ਵਾਇਰਲੈੱਸ ਸੰਚਾਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਦੀ ਉਮੀਦ ਹੈ।ਇਹ ਉੱਚ ਆਵਿਰਤੀ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਜਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਦੇ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ.
ਪੋਸਟ ਟਾਈਮ: ਅਗਸਤ-08-2022